集成電路(IC)SKM300GB12V賽米控丹佛斯IGBT模塊

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SEMITRANS 3 (106x62x31)
1200
300
Half Bridge
V-IGBT
In production

SEMITRANS® 經(jīng)典系列 – 25kW至500kW
SEMITRANS經(jīng)典系列是一種穩(wěn)健的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，配備銅底板和螺絲安裝功率端子。SEMITRANS經(jīng)典系列封裝采用低電感設(shè)計(jì)，可用于25kW至500kW的逆變器。通過(guò)多渠道采購(gòu)的IGBT芯片以及CAL 二極管，SiC模塊有帶或不帶混合SiC續(xù)流二極管的全SiC模塊和帶IGBT和SiC續(xù)流二極管的混合型SiC模塊。這些模塊的規(guī)格可達(dá)到900A和1700V。憑借超過(guò)25年的市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn)，SEMITRANS封裝 提供成熟可靠、久經(jīng)考驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)。

SEMITRANS® 經(jīng)典系列 的優(yōu)點(diǎn)
強(qiáng)壯的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
多IGBT芯片源
可提供SiC MOSFET和混合SiC模塊
豐富的產(chǎn)品系列

SEMITRANS®經(jīng)典系列關(guān)鍵特性
提供600V、650V、1200V和1700V電壓級(jí)別，電流從25A到900A的IGBT 模塊
可提供1200V和1700V 電流從200A到500A的碳化硅模塊
半橋、單開(kāi)關(guān)、斬波器、多電平、三相全橋和共發(fā)射極拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
采用DBC技術(shù)實(shí)現(xiàn)銅地板絕緣 某一些碳化硅模塊是AIN AMB
高絕緣電壓

SEMITRANS® 經(jīng)典系列 應(yīng)用
這種久經(jīng)考驗(yàn)的封裝設(shè)計(jì)可用于廣泛的應(yīng)用，如能量回饋型逆變器 和電源。 超長(zhǎng)的使用壽命契合嚴(yán)苛 應(yīng)用。

SEMITRANS® 經(jīng)典系列 產(chǎn)品范圍
SEMITRANS經(jīng)典系列提供豐富的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和功率范圍。可供選擇 的標(biāo)準(zhǔn)電壓級(jí)別涵蓋600V到1700V。額定電流范圍為50A到 900A。SEMITRANS封裝具有半橋、斬波器、單開(kāi)關(guān)、多電平、和共發(fā)射極拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

廣泛的產(chǎn)品系
50A - 900A，5種外殼尺寸，提供多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
契合任何應(yīng)用