根據以上分析，有以下幾個方面需要注意： 
    1 ）    EXB841 只有    1 ． 5us 的延時，慢關斷動作時間約  8us ，與使用手冊上標明的“對 < 10us 的過電流不動作”是有區別的。

    2 ）由于僅有 1 ． 5us 的延時，只要大于 1 ． 5 us 的過流都會使慢關斷電路工作。由于慢關斷電路的放電時間常數 t2 較小，充電時間常數 t3 較大，后者是前者的 10 倍，因此慢關斷電路一旦工作，即使短路現象很快消失，  EXB841 中的腳   3 輸出也難以達到   Uge ＝＋  15V 的正常值。如果 EXB841 的 C4 已放電至終了值（ 3 ． 6V ），則它被充電至  20v 的時間約為      140us ，與本脈沖關斷時刻相距   140us 以內的所有后續脈沖正電平都不會達到  Uge= ＋  15V ，即慢關斷不僅影響本脈沖，而且可能影響后續的脈沖。

    3 ）由圖  2 － 67 可知光耦合器 IS01 由十 5V 穩壓管供電，這似乎簡化了電路，但由于   EXB841 的腳   1 接在   IGBT 的   E 極，   IGBT 的開通和截止會造成其電位很大的跳動，可能會有浪涌尖峰，這無疑對 EXB841 可靠運行不利。另外，從其 PCB 實際走線來看，光耦合器陰叮的腳 8 到穩壓管 VZZ 的走線很長，而且很靠近輸出級（ V4 、 V5 ），易受干擾。

    4 ）      IGBT 開通和關斷時，穩壓管     VZ 2 易受浪涌電壓和電流沖擊，易損壞。另外，從印刷電路板    PCB 實際走線看，      VZ 2 的限流電阻 R10 兩端分別接在   EXB841 的腳    1 和腳    2 上，在實際電路測試時易

被示波器探頭等短路，從而可能損壞   VZ2 ，使   EXB841 不能繼續使用。

     （ 3 ）驅動器的應用 EXB850 和 EXB851 驅動器分別能驅動 150A ／ 600V 、  75A ／ 1200V 、  400A ／ 600V 、  300A ／ 1200V 的  IGBT ，驅動電路信號延遲 <4Us ，適用于高達   10kHz 的開關電路。應用電路如圖 2 － 69 所示。如果 IGBT 集電極產生大的電壓尖脈沖，可增大 IGBT 柵極串聯電阻 Rg 來加以限制。

    EXB84O ／ EXB841 高速型驅動器分別能驅動 150A ／ 600V 、 75A ／ 1200V 、 400A ／ 600V 、 200A ／ 1200V 的 IGBT ，驅動電路信號延遲＜ lus ，適用于高達 40kHz 的開關電路。它的應用電路如圖 2 － 70 所示。

     （  4 ）使用    EXB 系列驅動器應注意的問題

    l ）輸入與輸出電路應分開，即輸入電路（光耦合器）接線遠離輸出電路，以保證有適當的絕緣強度和高的噪音阻抗。

    2 ）使用時不應超過使用手冊中給出的額定參數值。如果按照推薦的運行條件工作， IGBT 工作情況*佳。如果使用過高的驅動電壓會損壞  IGBT ，而不足的驅動電壓又會增加  IGBT 的通態壓降。過大

的輸入電流會增加驅動電路的信號延遲，而不足的輸入電流會增加 IGBT 和二極管的開關噪聲。

    3 ）     IGBT 的柵、射極回路的接線長度一定要小于     lm  ，且應使用雙絞線。

    4 ）電路中的電容器 C1 和 C2 用來平抑因電源接線阻抗引起的供電電壓變化，而不是作為電源濾波用。

    5 ）增大  IGBT 的柵極串聯電阻  Rg ，抑制   IGBT 集電極產生大的電壓尖脈沖。

     *后，再談一下 IGBT 的保護問題。因為 IGBT 是由 MOSFET 和 GTR 復合而成的，所以 IGBT 的保護可按 GTR 、 MOSFET 保護電路來考慮。主要是柵源過壓保護、靜電保護、準飽和運行、采用 R － C － VD 緩沖電路等等。這些前面已經講過，故不再贅述。另外應在 IGBT 電控系統中設置過壓、欠壓、過流和過熱保護單元，以保證**可靠工作。應該指出，必須保證 IGBT 不發生擎住效應。具體做法是，實際中 IGBT 使用的*大電流不超過其額定電流。

圖 2-70    EXB841 典型應用電路