技術(shù)文章
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中頻爐可控硅經(jīng)常燒毀損壞原因診斷及分析 1、中頻爐逆變可控硅水冷套內(nèi)斷水或散熱效果下降——更換水冷套。有時(shí)觀察水冷套的出水量和壓力是足夠的，但經(jīng)常由于水質(zhì)問(wèn)題，在水冷套的壁上附著一層水垢，由于水垢是一種導(dǎo)熱性級(jí)差的物體，雖然有足夠的水流量流過(guò)，但因?yàn)樗傅母?..發(fā)布時(shí)間：2015-06-08 15:36 點(diǎn)擊次數(shù)：3439 次
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ipm模塊有什么特點(diǎn)？ ipm模塊與以往IGBT模塊及驅(qū)動(dòng)電路的組件相比具有如下特點(diǎn)：(1)內(nèi)含驅(qū)動(dòng)電路。設(shè)定了*佳的IGBT驅(qū)動(dòng)條件，驅(qū)動(dòng)電路與IGBT間的距離很短，輸出阻抗很低，因此，不需要加反向偏壓。所需電源為下橋臂1組，上橋臂3組，共4...發(fā)布時(shí)間：2015-06-05 17:21 點(diǎn)擊次數(shù)：1666 次
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可控硅主要參數(shù) 可控硅又叫晶閘管，是晶體閘流管(Thyristor)的簡(jiǎn)稱，俗稱可控硅，指的是具有四層交錯(cuò)P、N層的半導(dǎo)體裝置。*早出現(xiàn)的一種是硅控整流器（SiliconControlledRectifier，SCR），中國(guó)大陸通常...發(fā)布時(shí)間：2015-06-02 09:34 點(diǎn)擊次數(shù)：2196 次
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富士igbt功率模塊的用途特征 IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。富士igbt功率模塊是功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個(gè)模塊。igbt功率模塊是以IGBT為內(nèi)核的先進(jìn)混合集成功率部件，由高速低功耗管芯...發(fā)布時(shí)間：2015-05-31 17:56 點(diǎn)擊次數(shù)：1744 次
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ipm模塊內(nèi)置四種保護(hù)功能機(jī)制 ipm模塊內(nèi)置的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路使系統(tǒng)硬件電路簡(jiǎn)單、可靠，縮短了系統(tǒng)開(kāi)發(fā)時(shí)間，也提高了故障下的自保護(hù)能力。保護(hù)電路可以實(shí)現(xiàn)控制電壓欠壓保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)、過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù)。(1)控制電壓欠壓保護(hù)(UV)：IPM使用單一的+1...發(fā)布時(shí)間：2015-05-29 18:51 點(diǎn)擊次數(shù)：2366 次
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IGBT保管、使用、選擇時(shí)的技巧 IGBT保管、使用、選擇時(shí)的技巧 對(duì)于選擇和安裝過(guò)程中應(yīng)該注意的方面，對(duì)IGBT的特性注意事項(xiàng)進(jìn)行了研討。IGBT模塊簡(jiǎn)介 相信大家都知道IGBT是絕緣柵雙極型晶體管縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合...發(fā)布時(shí)間：2014-05-09 13:24 點(diǎn)擊次數(shù)：1710 次
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可控硅模塊相關(guān)資料 可控硅模塊相關(guān)資料發(fā)布時(shí)間：2014-05-07 13:20 點(diǎn)擊次數(shù)：2337 次
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伺服和變頻器的區(qū)別 伺服驅(qū)動(dòng)器是用來(lái)驅(qū)動(dòng)伺服電機(jī)的，伺服電機(jī)可以是步進(jìn)電機(jī)，也可以是交流異步電機(jī)，主要為了實(shí)現(xiàn)快速、**定位，像那種走走停停、精度要求很高的場(chǎng)合用的很多。兩者工作原理變頻器的調(diào)速原理主要受制于異步電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)速n、異步電動(dòng)機(jī)的頻...發(fā)布時(shí)間：2014-05-06 17:25 點(diǎn)擊次數(shù)：1646 次
