技術(shù)文章
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開關(guān)電源技術(shù)的十大關(guān)注點(diǎn) 電源一直是電子行業(yè)里非常熱門的技術(shù)，而它的發(fā)展趨勢又是大家必須時(shí)刻關(guān)注的問題，不然一不留神就會(huì)跟不上技術(shù)發(fā)展的步伐。電子元件技術(shù)做了項(xiàng)開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展關(guān)注焦點(diǎn)調(diào)查，得出來以下十個(gè)熱門關(guān)注點(diǎn)。關(guān)注點(diǎn)一：功率半導(dǎo)體器件性能19...發(fā)布時(shí)間：2013-08-01 13:00 點(diǎn)擊次數(shù)：1514 次
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SiC器件與Si器件性能比較 SIC是什么呢？相比于Si器件，SiC功率器件的優(yōu)勢體現(xiàn)在哪些方面？電子發(fā)燒友網(wǎng)根據(jù)SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。SiC是什么？碳化硅（SiC）是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類...發(fā)布時(shí)間：2013-07-01 13:00 點(diǎn)擊次數(shù)：1818 次
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何謂功率半導(dǎo)體？ 何謂功率半導(dǎo)體？“半導(dǎo)體”，顧名思義是指同時(shí)具有容易導(dǎo)電的“導(dǎo)體”和不導(dǎo)電的“絕緣體”兩方面特性的物質(zhì)。能夠?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)為直流電——“整流”、增大電信號——“增幅”、導(dǎo)通或者阻斷電——“開關(guān)”等。功率半導(dǎo)體是能夠支持高電壓、...發(fā)布時(shí)間：2013-06-10 12:32 點(diǎn)擊次數(shù)：1954 次
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變頻電源簡介及其發(fā)展歷史 變頻電源是將市電中的交流電經(jīng)過AC→DC→AC變換，輸出為純凈的正弦波，輸出頻率和電壓一定范圍內(nèi)可調(diào)。它有別于用于電機(jī)調(diào)速用的變頻調(diào)速控制器，也有別于普通交流穩(wěn)壓電源。理想的交流電源的特點(diǎn)是頻率穩(wěn)定、電壓穩(wěn)定、內(nèi)阻等于零、...發(fā)布時(shí)間：2013-06-06 13:20 點(diǎn)擊次數(shù)：1515 次
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變頻器短路保護(hù)的注意事項(xiàng) 短路保護(hù)是接于電源和負(fù)載之間的裝置具有的一種在其負(fù)載側(cè)發(fā)生短路時(shí)能將短路點(diǎn)與電源有效地分?jǐn)嗟墓δ?。短路分?jǐn)嗄芰κ侵秆b置在負(fù)載側(cè)出現(xiàn)短路后在不致使裝置本身損壞的前提下能將短路電流可靠地切斷的能力，不致于使故障范圍擴(kuò)大。一...發(fā)布時(shí)間：2013-05-06 11:35 點(diǎn)擊次數(shù)：1584 次
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富士IGBT模塊選型手冊 富士IGBT模塊選型手冊發(fā)布時(shí)間：2013-05-03 10:25 點(diǎn)擊次數(shù)：1751 次
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富士電機(jī)V系列IGBT模塊與英飛凌/Eupec相應(yīng)型號對照表 FUJIV模塊應(yīng)用推薦表注：本表格只供參考通用變頻器發(fā)布時(shí)間：2013-04-30 09:50 點(diǎn)擊次數(shù)：2504 次
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富士電機(jī)IGBT模塊與優(yōu)派克Eupec相應(yīng)型號對照表 富士電機(jī)IGBT模塊與優(yōu)派克Eupec相應(yīng)型號對照表發(fā)布時(shí)間：2013-04-28 13:40 點(diǎn)擊次數(shù)：1729 次
